砷化鋁/砷化鎵布拉格反射鏡AlAs/GaAs Bragg mirrors
價 格：詢價
產(chǎn) 地：德國更新時間：2020-10-30 13:47
品 牌：屹持光電技術(shù)型 號：AlAs/GaAs Bragg mirrors
狀 態(tài)：正常點(diǎn)擊量：2264
400-006-7520
聯(lián)系我時，請說明是在上海非利加實(shí)業(yè)有限公司上看到的，謝謝！
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上海非利加實(shí)業(yè)有限公司
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上海自提或三方快遞
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砷化鋁/砷化鎵布拉格反射鏡AlAs/GaAs Bragg mirrors
如果需要尺寸僅為幾毫米的非常小的高反射鏡，選用在GaAs芯片上的單晶AlAs / GaAs布拉格反射鏡是比較合適的。
作為襯底的單晶GaAs砷化鎵晶片具有非常光滑的表面和55W /（m * K）的良好導(dǎo)熱率。它可以被切成小的方塊或矩形芯片。
我們提供未安裝的布拉格反射鏡，標(biāo)準(zhǔn)基板厚度為450um。
可用芯片尺寸：
4.0mmx 4.0mm
2.0mm×2.0mm
1.3mm×1.3mm
可根據(jù)要求定制尺寸
產(chǎn)品參數(shù)
1030nm 砷化鋁/砷化鎵布拉格反射鏡AlAs/GAAs Bragg mirrors
| BM-1030nm-4x4 | BM-1030nm-2x2
| BM-1030nm-1.3x1.3
|
GaAs上的單晶AlAs / GaAs布拉格反射鏡
中心波長λ= 1030 nm
芯片面積：4 mm x 4 mm
芯片厚度：450μm
Data sheet (pdf) | ?GaAs上的單晶AlAs / GaAs布拉格反射鏡
?中心波長λ= 1030 nm
?芯片面積：2 mm x 2 mm
?芯片厚度：450μm
? Data sheet (pdf)
| ?GaAs上的單晶AlAs / GaAs布拉格反射鏡
?中心波長λ= 1030 nm
?芯片面積：1.3 mm x 1.3 mm
?芯片厚度：450μm
? Data sheet (pdf) |
產(chǎn)品介紹
砷化鋁/砷化鎵布拉格反射鏡AlAs/GaAs Bragg mirrors
如果需要尺寸僅為幾毫米的非常小的高反射鏡，選用在GaAs芯片上的單晶AlAs / GaAs布拉格反射鏡是比較合適的。
作為襯底的單晶GaAs砷化鎵晶片具有非常光滑的表面和55W /（m * K）的良好導(dǎo)熱率。它可以被切成小的方塊或矩形芯片。
我們提供未安裝的布拉格反射鏡，標(biāo)準(zhǔn)基板厚度為450um。
可用芯片尺寸：
4.0mmx 4.0mm
2.0mm×2.0mm
1.3mm×1.3mm
可根據(jù)要求定制尺寸
滬公網(wǎng)安備31011502016460號
