晶圓測厚儀,晶圓厚度測試儀,硅片測厚儀,硅片厚度測量儀采用非接觸式測量方法，對晶圓的厚度和表面形貌進行測量，可廣泛用于：MEMS， 晶圓，電子器件，膜厚，激光打標雕刻等工序或器件的測量。
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該晶圓測厚儀,晶圓厚度測量儀,硅片測厚儀,硅片厚度測量儀
專業為掩膜，劃線的晶圓，粘到藍寶石或玻璃襯底上的晶圓等各種晶圓的厚度測量而設計，同時，還適合50-300mm 直徑的晶圓的表面形貌測量。
該晶圓測厚儀,晶圓厚度測量儀,硅片測厚儀,硅片厚度測量儀采用紅外干涉技術，能夠精確給出襯底厚度和厚度變化 （TTV），也能實時給出超薄晶圓的厚度（掩膜過程中的晶圓），非常適合晶圓的研磨、蝕刻、沉淀等應用。這種紅外干涉技術具有獨特優勢，諸多材料例 如，Si, GaAs, InP, SiC, 玻璃，石英以及其他聚合物在紅外光束下都是透明的，非常容易測量，標準的測量空間分辨率可達50微米，更小的測量點也可以做到。
該晶圓測厚儀,晶圓厚度測量儀,硅片測厚儀,硅片厚度測量儀具有探針系統配件，使用該探針系統后，可以高精度地測量圖案化晶圓,帶 保護膜的晶圓, 鍵合晶圓和帶凸點晶圓（植球晶圓），wafers with patterns, wafer tapes,wafer bump or bonded wafers 。
該晶圓測厚儀,晶圓厚度測量儀,硅片測厚儀,硅片厚度測量儀直接而精確地測量晶圓襯底厚度和厚度變化TTV，同時該晶圓測厚儀能夠測量晶圓薄膜厚度，硅膜厚度（membrane thickness） 和凸點厚度（wafer pump height）.，溝槽深度 （trench depth）.
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